[发明专利]正交相二氧化锡薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及到一种正交相二氧化锡薄膜的制备方法，其操作步骤为：（i）制备用于脉冲激光沉积的二氧化锡靶材：①制备高纯的二氧化锡粉；②将其粉末在0.4GPa压力下制作成直径15毫米，厚度4毫米圆块，将其圆块在1150℃下烧结2小时，即成为脉冲激光沉积的二氧化锡靶材；（ii）利用脉冲激光沉积方法，冲击靶材得到沉积的正交相二氧化锡薄膜。本发明探寻到了高温高压正交相二氧化锡薄膜在相对较低压力和较低温度下的制备条件。

主权项

一种交相二氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于具体操作步骤如下：    a. 制备用于脉冲激光沉积的二氧化锡靶材：①利用溶胶凝胶法制备高纯的二氧化锡粉末在27±2% SnCl4乙醇溶液中逐滴滴加28±2%氨水使其反应均匀，反应过程中实时检测其pH值，当pH = 7时，结束反应，可观测到白色溶胶产生；陈化24±0.2小时后，用乙醇、丙酮进行洗涤数次，用AgNO3检测滤出液，直至检测不到Cl‑为止；所得凝胶放入真空干燥箱100℃±5℃烘干水分及洗涤剂，得块状样品；研磨成粉末，制备出粒径4±0.5纳米的二氧化锡粉末；②将其粉末在0.3～0.5 GPa 压力下制作成直径15±2毫米，厚度4±0.2毫米圆块；将其圆块在1150±50℃下烧结2±0.2小时，即成为脉冲激光沉积的二氧化锡靶材；b. 利用脉冲激光沉积方法冲击靶材，选择KrF激光，设置脉冲能量为350 mJ，波长248 nm，频率10 Hz，脉冲间隔时间34纳秒，每个脉冲注入量为5±0.1 J/cm2；当沉积室真空度优于1×10 ‑6 mbar时，开始引入脉冲激光，打向所述靶材，控制氧分压为3±0.1×10 ‑2 Pa，将靶材沉积在硅衬底上，该衬底温度为320±10 oC，硅衬底距离靶材4±0.1厘米，在上述条件下得到正交相二氧化锡薄膜。