[发明专利]双端纳米管器件和系统及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110051659.6 申请日: 2006-05-09
公开(公告)号: CN102176456A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: F·郭;M·梅恩霍德;S·L·孔瑟科;T·鲁克斯;X·M·H·黄;R·斯瓦拉贾;M·斯特拉斯伯格;C·L·伯廷 申请(专利权)人: 南泰若股份有限公司
主分类号: H01L27/112 分类号: H01L27/112;H01L21/8239;G11C13/00;G11C17/16
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 钱慰民
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 双端开关器件包括第一和第二导电端子以及纳米管制品。所述制品具有至少一个纳米管,并且与第一和第二端子的每个的至少一部分重叠。该器件还包括与第一和第二端子中至少一个电连通的刺激电路。该电流能够向第一和第二端子中至少一个施加第一和第二电刺激以将第一和第二端子之间的器件相对电阻在相对较高电阻与相对较低电阻之间变化。第一和第二端子之间的相对较高电阻对应于该器件的第一状态,第一和第二端子之间的相对较低电阻对应于该器件的第二状态。
搜索关键词: 纳米 器件 系统 及其 制作方法
【主权项】:
一种双端存储器件,包括:第一导电端子;与所述第一导电端子间隔开的第二导电端子;具有多个纳米管的纳米管制品,所述纳米管制品被配置成与所述第一和第二导电端子电连通;以及与所述第一和第二导电端子中至少一个电连通的刺激电路,所述刺激电路被配置为在所述第一导电端子和第二导电端子之间形成第一电压差,从而将所述第一和第二导电端子之间的纳米管制品的电阻从相对较低电阻变成相对较高电阻,所述刺激电路被配置为在所述第一导电端子和第二导电端子之间形成第二电压差,从而将所述第一和第二导电端子之间的纳米管制品的电阻从相对较高电阻变成相对较低电阻,其中,所述第一和第二导电端子之间的纳米管制品的相对较高电阻对应于所述双端存储器件的第一状态,且所述第一和第二导电端子之间的纳米管制品的相对较低电阻对应于所述双端存储器件的第二状态,其中所述双端存储器件的所述第一和第二状态是非易失性的。
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