[发明专利]一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法有效
| 申请号： | 201110051845.X | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102174697A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 林媛;梁伟正;曾慧中;黄文;吉彦达;刘升华;黄江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C20/08 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层，然后将镍基片取出清洗并风干；步骤2：将预先配置好的相应的氧化物高分子混合溶液或溶胶凝胶溶液滴在步骤1中得到的镍基片上，用甩胶机进行甩胶使溶液均匀分布在镍基片上；步骤3：对步骤2中得到的镍基片进行烧结处理，烧结后得到位于镍基片上生长的氧化物铁电薄膜。本发明的有益效果：可以比较容易和稳定的制作氧化物铁电薄膜，便于工业化生产氧化物铁电薄膜，有效的降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 镍基片上 生长 氧化物 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法，包括如下步骤：步骤1：将抛光后的镍基片放入强氧化剂溶液中浸泡一定时间后形成一层致密的氧化镍过渡层，然后将镍基片取出清洗并风干；步骤2：将预先配置好的相应的氧化物高分子混合溶液或溶胶凝胶(sol‑gel)溶液滴在步骤1中得到的镍基片上，用甩胶机进行甩胶使溶液均匀分布在镍基片上。步骤3：对步骤2中得到的镍基片进行烧结处理，烧结后得到位于镍基片上生长的氧化物铁电薄膜。
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