[发明专利]一种垂直结构差分集成螺旋电感有效
申请号: | 201110051873.1 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102097429A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 刘军;孙玲玲;王皇 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01F17/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310018 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种垂直结构差分集成螺旋电感。目前多数集成在片电感所占芯片面积较大。本发明中第一引线层一端与第一左金属层一端连接,第一左金属层另一端依次各个通孔和金属层与第四左金属层一端连接,第四左金属层另一端通过第四通孔与第三中右金属层一端连接,第三中右金属层另一端通过第五通孔与第二金属层一端连接,第二金属层另一端通过第六通孔与第三中左金属层一端连接,第三中左金属层另一端通过第七通孔与第四右金属层一端连接,第四右金属层另一端通过各个通孔和金属层和第十通孔后与第一右金属层一端连接,第一右金属层另一端与第二引线层一端连接。本发明能够在尽可能小的面积上达到感值及Q值要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 结构 集成 螺旋 电感 | ||
【主权项】:
一种垂直结构差分集成螺旋电感,包括处于同一芯片内的第一引线层(Feed1)、第二引线层(Feed2)、第一左金属层(1)、第二左金属层(21)、第三左金属层(22)、第四左金属层(31)、第一右金属层(7)、第二右金属层(62)、第三右金属层(61)、第四右金属层(52)、第二金属层(4)、第三中左金属层(51)、第三中右金属层(32)、第一通孔(V1)、第二通孔(V2)、第三通孔(V3)、第四通孔(V4)、第五通孔(V5)、第六通孔(V6)、第七通孔(V7)、第八通孔(V8)、第九通孔(V9)和第十通孔(V10),其特征在于:第一引线层(Feed1)的一端与第一左金属层(1)的一端连接,第一左金属层(1)的另一端向下依次通过第一通孔(V1)、第二左金属层(21)、第二通孔(V2)、第三左金属层(22)和第三通孔(V3)后与第四左金属层(31)的一端连接,第四左金属层(31)的另一端通过第四通孔(V4)与第三中右金属层(32)的一端连接,第三中右金属层(32)的另一端通过第五通孔(V5)与第二金属层(4)的一端连接,第二金属层(4)的另一端通过第六通孔(V6)与第三中左金属层(51)的一端连接,第三中左金属层(51)的另一端通过第七通孔(V7)与第四右金属层(52)的一端连接,第四右金属层(52)的另一端向上依次通过第八通孔(V8)、第三右金属层(61)、第九通孔(V9)、第二右金属层(62)和第十通孔(V10)后与第一右金属层(7)的一端连接,第一右金属层(7)的另一端与第二引线层(Feed2)的一端连接;所述的第一引线层(Feed1)、第二引线层(Feed2)、第一左金属层(1)和第一右金属层(7)处于同一上层;所述的第二左金属层(21)、第二金属层(4)和第二右金属层(62) 处于同一次上层;所述的第三左金属层(22)、第三中左金属层(51)、第三中右金属层(32)和第三右金属层(61)处于同一次下层;所述的第四右金属层(52) 和第四左金属层(31)处于同一下层;所述的第一左金属层(1)、第二左金属层(21)、第三左金属层(22)、第一右金属层(7)、第二右金属层(62)、第三右金属层(61)和第二金属层(4)均为条形片状结构;所述的第四左金属层(31)和第四右金属层(52)为L形片状结构且在该层内呈中心对称;所述的第三中左金属层(51)和第三中右金属层(32)为Z形片状结构且在该层内呈中心对称;所述的上层、次上层、次下层,下层之间相互平行且绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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