[发明专利]表现双耗尽的高电子迁移率晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110051882.0 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102194867A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄仁俊;金钟燮;崔赫洵;洪起夏;申在光;吴在浚 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。 | ||
| 搜索关键词： | 表现 耗尽 电子 迁移率 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管，包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极，其中，双耗尽区域存在于源极和漏极之间。
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