[发明专利]用于太赫兹量子阱探测器的一维金属光栅及其设计方法无效
申请号: | 201110052206.5 | 申请日: | 2011-03-04 |
公开(公告)号: | CN102386245A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 曹俊诚;张戎;郭旭光 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;G02B5/18;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于太赫兹量子阱探测器的一维金属光栅及其设计方法。该一维金属光栅的周期d等于对应太赫兹量子阱探测器的峰值响应频率在所述太赫兹量子阱探测器的器件材料中的波长λpeak。其设计方法包括如下步骤:1)测量器件在45度角端面入射情况下的光电流谱,确定器件的响应峰值,根据器件的峰值响应频率确定光栅的截止频率,进而设计光栅的周期;2)选取合适的光栅材料;3)设计合适的光栅厚度。该方法可通过红外傅里叶变换光谱仪测量得到器件的本征响应区域及响应峰值,计算出峰值响应频率在器件材料中的波长λpeak,从而设计光栅的周期为d=λpeak。本发明对高性能太赫兹量子阱探测器的实现及其成像应用具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 用于 赫兹 量子 探测器 金属 光栅 及其 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种用于太赫兹量子阱探测器的一维金属光栅,其特征在于:该一维金属光栅的周期d等于对应太赫兹量子阱探测器的峰值响应频率在所述太赫兹量子阱探测器的器件材料中的波长λpeak。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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