[发明专利]锗硅异质结双极晶体管工艺中可变电容及制造方法

摘要

本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管工艺中可变电容，包括：N型阱区和P型锗硅碳外延层。阱区形成于有源区中并和浅槽场氧底部的赝埋层相连并通过一深孔接触引出。锗硅碳外延层形成于阱区上方并和阱区形成接触，锗硅碳外延层掺入了在位掺杂的硼原子并和阱区形成单边突变结并组成可变电容。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管工艺中可变电容的制造方法。本发明能改善可变电容的电压系数、提高可变电容的性能并能满足射频产品对可变电容的性能要求，能和锗硅异质结双极晶体管工艺兼容并降低成本。

主权项

一种锗硅异质结双极晶体管工艺中可变电容，其特征在于，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，可变电容包括：一N型阱区，形成于所述有源区中，所述N型阱区的深度大于所述浅槽场氧底部的深度；在所述浅槽场氧的底部形成有一N型赝埋层，所述赝埋层和所述阱区形成接触，在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成有和所述赝埋层相接触的深孔接触，所述深孔接触为所述阱区的引出电极；一P型锗硅碳外延层，形成于所述硅衬底表面且位于所述阱区的上方并和所述阱区相连；所述锗硅碳外延层的P型掺杂杂质为在位掺杂的硼原子，所述锗硅碳外延层的掺杂浓度大于所述阱区的掺杂浓度，所述锗硅碳外延层和所述阱区相连接的区域形成一单边突变结，由所述单边突变结组成可变电容；所述锗硅碳外延层横向延伸到所述浅槽场氧的上方，所述锗硅碳外延层的延伸部分的上方形成有金属接触，所述金属接触为所述锗硅碳外延层的引出电极。