[发明专利]一种二元材料（Zr，Ce）O2纳米点、制备方法及应用无效
| 申请号： | 201110052460.5 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102180703A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘敏;徐燕;叶帅;吴紫平;吕昭;程艳玲;马麟;邱火勤;董传博;索红莉 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;C04B41/52 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二元材料(Zr，Ce)O2纳米点、制备方法及应用，属于高温超导材料技术领域。制备方法：将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按锆与铈摩尔比为1-x∶x溶解到正丙酸中，得到前驱液；将前驱液涂敷到单晶基板上，得到前驱膜；在保护气体下，将前驱膜于950～1200℃烧结10～500分钟，得到不连续的、高度在5～60nm、直径在20～150nm、颗粒密度在10～100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。在上述涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜，来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。本发明引入的纳米点的形态，数目及分布可简单、有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二元 材料 zr ce sub 纳米 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种二元材料(Zr、Ce)O2纳米点，其特征在于，由Zr1‑xCexO2复合氧化物固溶体组成，0.1≤x≤0.9；涂覆在基板上的不连续的、高度在5～60nm、直径在20～150nm、颗粒密度在10～100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。
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