[发明专利]一种Si衬底Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110052767.5 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102180704A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王华;许积文;周尚菊;杨玲;任明放 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 罗玉荣 |
| 地址： | 541004 广*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si衬底Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法，采用溶胶-凝胶工艺，直接形成自然超晶格结构；为弥补Bi2O3在高温下易于挥发，在Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12名义成分配料的基础上，采用Bi适度过量的成分配方；采用多次匀胶、分层退火；成膜退火在氧气气氛下进行。该方法简单且能满足硅平面工艺的要求，其制备的Bi3TiNbO9-Bi4Ti3O12铁电薄膜具有超晶格结构和突出的铁电性能、优异的抗疲劳特性及良好的综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 衬底 bi sub tinbo ti 12 自然 晶格 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Si衬底Bi3TiNbO9‑Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜的制备方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：(1)选用电阻率＜10Ω·cm、(100)晶向p型单晶Si基片作为衬底，并进行表面处理和清洗；(2)配制Bi3TiNbO9‑Bi4Ti3O12溶胶；(3)将配制好的溶胶滴到衬底上，再进行匀胶，制作湿膜；(4)匀好胶的湿膜进行烘干处理，去除湿膜中的碳、氢成分；(5)将烘干处理过的薄膜进行退火处理；(6)重复上述步骤(3)‑(5)，根据所需薄膜的厚度确定重复次数，直至获得所需厚度的薄膜；(7)对上述Si衬底Bi3TiNbO9‑Bi4Ti3O12薄膜进行退火处理，形成Si衬底Bi3TiNbO9‑Bi4Ti3O12自然超晶格铁电薄膜。
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