[发明专利]纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法有效
| 申请号： | 201110052771.1 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102653414A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 刘志权;李财富 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01G19/02 | 分类号： | C01G19/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法，可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备，属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯锡为原材料，通过电子束辐照氧化的物理机制，制备出纳米晶粒的二氧化锡材料或含有二氧化锡的复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构，其中二氧化锡的晶粒尺寸分布可达3～15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用，不同于以往的化学合成方法，制备过程简单，可控性强，可实现在微小特定区域内二氧化锡纳米材料及复合材料的制备，亦可实现含二氧化锡的特殊结构的制造，为二氧化锡材料合成和微型器件制造提供切实可行的方法，解决现有化学技术方法中存在的工艺复杂、杂质残留等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶粒 氧化 电子束 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法，其特征在于：利用纯锡为原材料，通过电子束的物理作用将周围环境中的氧吸附到纯锡表面发生辐照氧化，从而使电子束照射区域的纯锡转变为纳米晶粒的二氧化锡。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110052771.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
