[发明专利]一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110053124.2 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102364704A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 吴惠桢;蔡春锋 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CdTe/PbTe中红外发光器件及其制备方法，它以CdZnTe或BaF2或GaAs或Si或Ge作为基底，利用分子束外延设备在基底上生长CdTe/PbTe半导体异质结，异质结的发光波长在2～5um中红外波段，基于PbTe和CdTe的极性界面效应可获得强中红外光的发射。它既可直接作为光致中红外发光器件使用，也可作为电致中红外发光器件的有源区材料得到应用，如中红外发光二极管、中红外激光二极管等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdte pbte 红外 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CdTe/PbTe中红外发光器件，其特征在于，包括基底和沉积在基底上的CdTe/PbTe异质结，所述CdTe/PbTe异质结主要由窄带隙PbTe半导体薄膜和较宽带隙CdTe半导体薄膜构成。
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