[发明专利]三维金属镍纳米渐变体阵列结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201110054017.1 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102174709A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 高雪峰;李丛珊;李娟;朱洁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/66;C25D3/12;C23C18/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种三维金属镍纳米渐变体阵列结构及其制备方法。该纳米渐变体阵列结构由尺寸从上到下线性或非线性变化的无数个纳米渐变体单元组成，纳米渐变体单元阵列分布在基底上，其为实心突起、空心突起、孔状和管状结构中的任意一种或多种，且各纳米渐变体单元的轴线与其基底垂直。其制备方法为：在具有三维纳米渐变阵列结构的模板上形成至少一导电层；将该模板置于含镍盐的酸性电解液中，调节反应条件，令镍沉积到模板上；去除模板，制得目标产物。本发明制备工艺流程简洁，设备简单易得，且与现有的电化学工艺兼容，成本低廉，调控简便，形成的目标产物形貌有序多变，尺寸可在较大范围内调控，在磁存储介质模板及生物传感监测等领域具有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 金属 纳米 渐变 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维金属镍纳米渐变体阵列结构，其特征在于，所述纳米渐变体阵列结构由尺寸从上到下线性或非线性变化的无数个纳米渐变体单元组成，所述纳米渐变体单元阵列分布在基底上，其为实心突起、空心突起、孔状和管状结构中的任意一种或两种以上的组合，且各纳米渐变体单元的轴线与其基底垂直。
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