[发明专利]带有沟槽-氧化物-纳米管超级结的器件结构及制备方法有效
| 申请号： | 201110054042.X | 申请日： | 2011-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN102194880A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 哈姆扎·依玛兹;马督儿·博德;李亦衡;管灵鹏;王晓彬;陈军;安荷·叭剌 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张静洁 |
| 地址： | 美国加利福尼亚桑*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明带有沟槽-氧化物-纳米管超级结的器件结构及制备方法提出了一种沉积在第一导电类型的半导体衬底上的半导体功率器件。该半导体衬底承载着一个第二导电类型的外延层，其中半导体功率器件就位于超级结结构上。该超级结结构包含从外延层中的顶面上打开的多个沟槽；其中每个沟槽的沟槽侧壁都用第一导电类型的第一外延层覆盖，以便中和第二导电类型的外延层的电荷。第二外延层可以生长在第一外延层上方。每个沟槽都在一个剩余的沟槽缝隙空间内，用非掺杂的电介质材料填充。每个沟槽侧壁都带有一个倾斜角，以构成会聚的U-型沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 沟槽 氧化物 纳米 超级 器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带有沟槽‑氧化物‑纳米管超级结的器件结构，其特征在于，包含：一个第一导电类型的第一半导体层以及一个第二导电类型的第二半导体层，所述的第二半导体层沉积在第一半导体层上方；在所述的第二半导体层中打开的沟槽，垂直延伸到所述的第一半导体层；一个形成在所述的沟槽的侧壁上的第一导电类型的第一外延层；以及一个形成在所述的第一外延层上的第二外延层；其中所述的第一外延层与相邻的半导体区域之间达到充分的电荷平衡。
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