[发明专利]一种生长蓝宝石晶体的方法有效
| 申请号： | 201110054601.7 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102140689A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李红军;胡克艳;徐军;郭鑫;苏良碧;陈伟超;钱小波;唐慧丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B29/20 | 分类号： | C30B29/20;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种生长蓝宝石晶体的方法，为定向凝固下降法，即，在蓝宝石晶体生长初期，从熔体底部以定向凝固法生长，温场均匀降温，生长固液界面自下而上移动，晶体逐渐生长；在蓝宝石晶体生长中后期，启动下降机构，坩埚以一定速率均匀下降；晶体生长结束，缓慢降温至室温，取出晶体。本发明的定向凝固下降法生长技术成功地结合了定向凝固法和下降法生长技术，有效继承了两者的优点，却又显著改善了这两种生长技术的缺点，该生长技术不仅能生长出大尺寸、高质量的LED衬底用蓝宝石晶体材料，同时也提高了蓝宝石晶体的生长成品率、降低了蓝宝石晶体的生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 蓝宝石 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种生长蓝宝石晶体的方法，其特征在于：为定向凝固下降法，即，在蓝宝石晶体生长初期，从熔体底部以定向凝固法生长，温场均匀降温，生长固液界面自下而上移动，晶体逐渐生长；在蓝宝石晶体生长中后期，启动下降机构，坩埚以一定速率均匀下降；晶体生长结束，缓慢降温至室温，取出晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110054601.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
