[发明专利]一种聚二甲基硅氧烷微纳流控芯片的制备方法无效
| 申请号： | 201110054725.5 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102145875A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 徐碧漪;徐静娟;陈洪渊 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 黄嘉栋 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种聚二甲基硅氧烷微纳流控芯片的制备方法，它是将设计的芯片结构图案转移到掩膜上，并将掩膜和依次涂有铬层和光刻胶的玻璃紧密贴合，用紫外光照射掩膜曝光，取出，用定影水定影，并用去铬液去除多余的铬，用乙醇去除多余的光刻胶，完成从设计图案到铬层图案的转移；然后把处理好的玻璃用刻蚀液刻蚀一定时间，这一时间必须长于传统的玻璃刻蚀时间，以达到过度刻蚀的目的；将刻蚀好的玻璃取出烘干；将PDMS前聚体和固化剂按照一定的质量比例混合均匀，并均匀分布在上述玻璃模具中，在40℃~120℃固化一定时间，从模具上剥离；用氧等离子体处理有图案的PDMS片和基片，并迅速将两者贴合，形成不可逆贴合，即得聚二甲基硅氧烷微纳流控芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 聚二甲基硅氧烷 微纳流控 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种聚二甲基硅氧烷微纳流控芯片的制备方法，其特征是它包括下列步骤：步骤1. 将设计的芯片结构图案通过电脑输出打印复制到聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜片上即制得掩膜，并将掩膜和依次涂有铬层和光刻胶的玻璃紧密贴合；步骤2. 用紫外光照射掩膜曝光0.5~5分钟，取出，用定影水定影，并用去铬液去除多余的铬，用乙醇去除多余的光刻胶，完成从设计图案到铬层图案的转移；步骤3. 把处理好的玻璃放入温度为0~40℃的恒温水浴中，用刻蚀液刻蚀1小时~10小时，这一时间必须长于传统的玻璃刻蚀时间，以达到过度刻蚀的目的；步骤4. 将刻蚀好的玻璃取出烘干；步骤5. 将PDMS前聚体和固化剂按照质量比为3:1 ~20:1混合均匀，并均匀分布在步骤4中获得的玻璃模具中，在40℃~120℃ 固化一定时间10分钟~1小时，从模具上剥离；步骤6. 用氧等离子体处理有图案的PDMS片和PDMS基片，并迅速将两者贴合，形成不可逆贴合，即得聚二甲基硅氧烷微纳流控芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110054725.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于云服务的移动终端订餐系统
- 下一篇：一种滑坡灾害下的电网易损性评测方法
