[发明专利]SRAM型存储器单元有效
| 申请号： | 201110054823.9 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102194516A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | C·马聚尔;R·费朗;B-Y·阮 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;靳强 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SRAM型存储器单元，包括：绝缘衬底上的半导体，包括通过绝缘(BOX)层与基底衬底(2)隔开的半导体材料薄膜(1)；六个晶体管，包括两个存取晶体管(T1，T4)、两个导电晶体管(T2，T5)和两个充电晶体管(T3，T6)，充电晶体管被设置为与导电晶体管形成两个反向耦合的反相器，其特征在于，每个晶体管具有背控制栅极(BG1，BG2)，背控制栅极在基底衬底中形成在沟道下方并且能够被加偏压以便调制晶体管的阈值电压，第一背栅极线将存取晶体管的背控制栅极连接到第一电位，第二背栅极线将导电晶体管和充电晶体管的背控制栅极连接到第二电位，根据单元控制操作的类型来调制第一电位和第二电位。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种SRAM型存储器单元，包括：绝缘衬底上的半导体，包括通过绝缘(BOX)层与基底衬底(2)隔开的半导体材料薄膜(1)；六个晶体管(T1‑T6)，包括两个存取晶体管(T1，T4)、两个导电晶体管(T2，T5)和两个充电晶体管(T3，T6)，所述充电晶体管(T3，T6)被设置为与所述导电晶体管(T2，T5)形成两个反向耦合的反相器，每个晶体管(T1‑T6)包括设置在所述薄膜(1)中的漏极区域(D)和源极区域(S)、在所述源极区域和所述漏极区域之间延伸的沟道(C)以及位于所述沟道(C)上方的前栅极(G)，所述存储器单元的特征在于，每个晶体管(T1‑T6)具有背控制栅极(BG1，BG2)，所述背控制栅极(BG1，BG2)在所述基底衬底(2)中形成在所述沟道(C)下方并且能够被加偏压以便调制所述晶体管的阈值电压，第一背栅极线将所述存取晶体管(T1，T4)的背控制栅极(BG1)连接到第一电位，第二背栅极线将所述导电晶体管(T2，T5)和所述充电晶体管(T3，T6)的背控制栅极连接到第二电位，根据单元控制操作的类型来调制所述第一电位和所述第二电位。
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