[发明专利]一种用于提拉法生长LGS晶体的原料合成方法无效
| 申请号： | 201110055705.X | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102260910A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 柳祝平;黄小卫 | 申请（专利权）人： | 元亮科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于提拉法生长La3Ga5SiO14(LGS，Langasite)晶体的原料合成方法。包括以下步骤：(a)原料称重：按照一定比例称取4N纯度以上的La2O3、Ga2O3和SiO2原料粉末；(b)原料混合并压块；(c)料饼干燥；(d)料饼脱脂；(e)料饼烧结。采用本发明获得的LGS原料可用于提拉法生长LGS单晶，得到的晶体质量好，无明显的开裂、散射、条纹和黑点，且LGS晶体加工成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提拉法 生长 lgs 晶体 原料 合成 方法 | ||
【主权项】：
Langasite原料的制备方法，包括以下步骤：(a)原料称重：按照一定比例称取La2O3、Ga2O3和SiO2原料粉末；(b)原料混合并压块；(c)料饼干燥；(d)料饼脱脂；(e)料饼烧结。
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