[发明专利]成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置无效
| 申请号： | 201110055790.X | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102208460A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 岩田宽 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/18;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置，其谋求降低膜厚的同时不需要蚀刻工序且谋求低成本化，并且具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面。成膜基板(1)为具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板，其凹凸结构通过成膜含氧化铟的薄膜层(3)而形成。另外，成膜基板(1)的制造方法为制造具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板(1)的方法，该制造方法具有薄膜工序，所述薄膜工序为如下工序：在被成膜基板(2)表面成膜含氧化铟的薄膜层(3)，并通过进行该成膜形成凹凸结构。由此，不需要用于形成凹凸结构的蚀刻工序，且谋求低成本化，并通过设成含氧化铟的透明导电膜(3)来降低膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 成膜基板 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜基板，由具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面的平坦部而形成，其特征在于，所述凹凸结构通过成膜含氧化铟的所述薄膜层而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
