[发明专利]一种导电膜、其制备方法和应用有效
申请号: | 201110055809.0 | 申请日: | 2011-03-09 |
公开(公告)号: | CN102676992A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;陈吉星;冯小明 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/35 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518052 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于光电材料技术领域,提供了一种导电膜,其制备方法和应用。该导电膜制备方法包括:将三氧化二铝、二氧化硅掺杂于氧化锌混合,烧结作为靶材;所述混合物中三氧化二铝的质量百分含量为0.5%~3%,所述二氧化硅的质量百分含量为0.5%-1.5%,余量为所述氧化锌;将所述靶材装入磁控溅射腔体内,所述磁控溅射中在垂直于溅射粒子飞行方向施加线圈匝数为50N~500N,励磁电流为0.1A~5A的电磁场,得到导电膜。采用本发明的制备方法能够提高导电膜的结晶质量,降低电阻率。 | ||
搜索关键词: | 一种 导电 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种导电膜制备方法,包括如下步骤:将三氧化二铝、二氧化硅掺杂于氧化锌混合,烧结作为靶材;所述混合物中三氧化二铝的质量百分含量为0.5%~3%,所述二氧化硅的质量百分含量为0.5%‑1.5%,余量为所述氧化锌;将所述靶材装入磁控溅射腔体内,抽真空至1.0×10‑3Pa~1.0×10‑5Pa,设置工作压强为0.2Pa~1.5Pa,以氢气与惰性气体混合气体为工作气体,其中,氢气的体积百分含量为1%~10%,气体流量15sccm~25sccm,衬底温度为300℃~650℃,所述磁控溅射中在垂直于溅射粒子飞行方向施加线圈匝数为50N~500N,励磁电流为0.1A~5A的电磁场,得到导电膜。
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