[发明专利]一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法

摘要

一种测量硅片键合强度的微结构及其制造方法，包括衬底硅片、结构硅片，在所述结构硅片一面设置有键合区域、支撑点，另一面设置有加力点，所述支撑点设置在键合区域和加力点之间，所述衬底硅片和结构硅片通过键合区域键合成一体。制造这种微结构的方法，包括以下步骤：步骤1，对结构硅片表面进行氧化，形成腐蚀阻挡层，然后光刻所述腐蚀阻挡层，形成腐蚀窗口，再用腐蚀液将结构硅片腐蚀2微米至200微米深度；步骤2，将衬底硅片和结构硅片通过硅直接键合工艺键合成一体。本发明的微结构结构简单，设置灵活，操作方便。

主权项

一种测量硅片键合强度的微结构，其特征在于，包括衬底硅片（1）、结构硅片（2），在所述结构硅片（2）一面设置有键合区域（3）、支撑点（4），另一面设置有加力点（5），所述支撑点（4）设置在键合区域（3）和加力点（5）之间，所述衬底硅片（1）和结构硅片（2）通过键合区域（3）键合成一体。