[发明专利]一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 201110056140.7 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102169892A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;张超;肖璇;吴宽;姜贯军;余士江;谢家雄 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P+体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上，引入由N型空穴势垒层和N-漂移区形成的JFET效应削弱结构，N型空穴势垒层所形成的扩充电流路径结构。N型空穴势垒层能够增大器件靠近发射极一侧的电导调制效应，减小JFET效应，并增加电子电流的流经面积，减小通态压降；槽型空穴旁路结构能够提高闩锁电流密度，加速空穴抽取，从而提高关断速度；且P+体区增大耗尽区面积，提高了击穿电压；槽型金属化发射极还能进一步减小器件的电阻，降低通态压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 平面 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种增强型的平面绝缘栅双极型晶体管，包括位于P型集电区(2)背面的金属化集电极(1)、P型集电区(2)、位于P型集电区(2)正面的N‑漂移区(3)，还包括金属化发射极(10)、位于N‑漂移区(3)顶部且与金属化发射极(10)接触的N+型源区(7)、N‑漂移区(3)中包围N+型源区(7)的P型基区(6)、N‑漂移区(3)中包围P型基区(6)的N型空穴势垒层(5)；相邻两个元胞的N型空穴势垒层5之间不相连；其特征在于：所述金属化发射极(10)为槽型金属化发射极，它的槽型部分向下穿过N+型源区(7)并延伸入P型基区(6)；在金属化发射极(10)的槽型部分下方还具有一个与金属化发射极(10)的槽型部分相连的的P+体区(4)，所述P+体区(4)穿过N型空穴势垒层(5)与N‑漂移区(3)相连。
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