[发明专利]一种涂层导体用NiW合金基带表面的硫化方法有效

专利信息
申请号: 201110056412.3 申请日: 2011-03-09
公开(公告)号: CN102146559A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 王雪;李成山;于泽铭;郑会玲;冀勇斌;纪平;樊占国 申请(专利权)人: 西北有色金属研究院
主分类号: C23C22/00 分类号: C23C22/00
代理公司: 西安创知专利事务所 61213 代理人: 谭文琰
地址: 710016*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种涂层导体用NiW合金基带表面的硫化方法,该方法采用硫化铵溶液作为硫源对NiW合金基带表面进行硫化处理,将NiW合金基带在硫化铵溶液中浸泡进行硫的吸附,然后再进行脱硫热处理。本发明克服了传统的利用硫化氢气体作为硫源进行硫化处理需要超高真空环境的局限,硫化方法技术条件简便、操作方法简单,处理时间短,有利于降低成本,适用于NiW长带的批量硫化处理。
搜索关键词: 一种 涂层 导体 niw 合金 基带 表面 硫化 方法
【主权项】:
一种涂层导体用NiW合金基带表面的硫化方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)硫化铵处理:将NiW合金基带用去离子水清洗,然后用无水酒精脱水;将脱水后的NiW合金基带放入质量浓度为5%~8%的硫化铵溶液中,浸泡20min~40min后取出,用去离子水清洗掉表面附着的硫化铵溶液,吹干待用;(2)脱硫热处理:将步骤(1)中经硫化铵处理后的NiW合金基带置于管式炉中,在温度为800℃~850℃条件下,氩气与氢气的混合气体保护下,保温30min~40min后随炉冷却得到表面具有c(2×2)‑S超结构的NiW合金基带。
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