[发明专利]一种三元化合物太阳能电池薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110056681.X | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102163630A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 谢建生;李金华;蒋美萍 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0328 | 分类号： | H01L31/0328;H01L31/18;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池薄膜，特指一种三元化合物太阳能电池薄膜及其制备方法。本发明是利用磁控溅射技术，在衬底上制备一种带隙在1.4eV~1.6eV可调、光吸收系数高于105cm-1的新型三元化合物薄膜材料，是适合于研制太阳能薄膜电池的新型材料，本发明包括三靶汇聚共溅射技术和微薄层分层溅射复合技术，还包括溅射薄膜太阳能电池的后退火处理技术、多晶薄膜结构的XRD主峰位确定、薄膜组分和价态的测定、薄膜的FTIR和UVS带隙、吸收测定方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三元 化合物 太阳能电池 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三元化合物太阳能电池薄膜，其特征在于：所述薄膜成份为CuIn2Si2，薄膜的吸收系数大于105cm‑1，带隙在1.4eV～1.6eV之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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