[发明专利]发光材料及使用其的发光器件

摘要

本发明提供发光材料及使用其的发光器件。本发明的发光材料包含(A)在主链中含有芳环的共轭聚合物和(B)在三重态受激态发光的化合物，其特征在于在聚合物(A)中，各自通过计算化学方法计算的自由能级和处于基态的最低的空轨道(LUMO)能级之间的能量差为1.3eV或更高，或用实验方法测量的自由能级和处于基态的最低的空轨道(LUMO)能级之间的能量差为2.2eV或更高，并且该材料满足下面的条件(1)，条件(1)：ETA-ESA0＞ETB-ESB0，其中ESA0是聚合物(A)处于基态的能量；ETA是聚合物(A)处于最低的受激三重态的能量；ESB0是化合物(B)处于基态的能量；且ETB是化合物(B)处于最低的受激三重态的能量。

主权项

1.一种发光材料，其包含在主链中含有芳环的共轭聚合物化合物A和显示由三重态受激态发光的化合物B，其中在聚合物化合物A中，通过计算化学方法计算的自由能级和处于基态的最低的空轨道能级之间的能量差为不低于1.3eV，或用实验方法测量的自由能级和处于基态的最低的空轨道能级之间的能量差为不低于2.2eV，并且或者满足下面条件1，或满足下面条件2，或它们二者都满足：条件1：聚合物化合物A处于基态的能量ES_A0、聚合物化合物A处于最低的受激三重态的能量ET_A、化合物B处于基态的能量ES_B0和化合物B处于最低的受激三重态的能量ET_B满足关系Eq1：ET_A-ES_A0＞ET_B-ES_B0           (Eq1)条件2：聚合物化合物A的荧光强度PL_A与显示由三重态受激态发光的化合物B的荧光强度PL_B的比率PL_A/PL_B为0.8或更小，并且聚合物化合物(A)通过计算化学方法计算的处于最低的受激三重态的能量ET_A为不低于2.82eV，并且其中聚合物化合物A含有下面的通式(1)的重复单元：其中，环P和环Q各自独立地表示芳族环，但是环P可以存在或不存在；当环P存在时，两个连接键分别在环P和/或环Q上，并且当环P不存在时，两个连接键分别在含Y的5元环上和/或在环Q上；芳族环和/或含Y的5元环可以含有选自下组的取代基：烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、卤素原子、酰基、酰氧基、亚胺残基、酰胺基、酸亚胺基、一价杂环基、羧基、取代的羧基和氰基；Y表示-O-、-S-、-Si(R₁)(R₂)-、-P(R₃)-或-PR₄(＝O)-，且R₁、R₂、R₃和R₄各自独立地表示烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烷硫基、芳基烯基、芳基炔基、氨基、取代的氨基、甲硅烷基、取代的甲硅烷基、甲硅烷氧基、取代的甲硅烷氧基、一价杂环基或卤素原子。