[发明专利]一种具有载流子存储层和额外空穴通路的IGBT无效
| 申请号： | 201110057088.7 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102157551A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;张超;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有载流子存储层和额外空穴通路的IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上引入N型载流子存储层(5)和大的P+体区(4)结构。N型载流子存储层(5)提高了发射极附近的电导调制效应，大的P+体区(4)结构起到了为空穴提供额外通路的作用，提高了抗闩锁能力。且N型载流子存储层(5)和大的P+体区(4)的设计，优化了现有绝缘栅双极型晶体管的空穴电流的流通路径，使得器件的安全工作区得以扩大，闩锁电流密度对温度的敏感性降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 载流子 存储 额外 空穴 通路 igbt | ||
【主权项】：
一种具有载流子存储层和额外空穴通路的IGBT，其单个元胞包括位于P型集电区(2)背面的金属化集电极(1)、P型集电区(2)、位于P型集电区(2)正面的N‑漂移区(3)；包括位于N‑漂移区(3)顶部、与金属化发射极(10)和栅氧化层(9)二者部分接触的N+型源区(7)，与栅氧化层(9)接触且半包围N+型源区(7)的P型基区(6)；其特征在于：还包括与栅氧化层(9)接触且半包围P型基区(6)的N型载流子存储层(5)和一个P+体区(4)，所述P+体区(4)位于与金属化发射极(10)下方，与金属化发射极(10)、N+型源区(7)、P型基区(6)、N型载流子存储层(5)和N‑漂移区(3)均接触的P+体区(4)；所述P+体区(4)的体积与N+型源区(7)、P型基区(6)和N型载流子存储层(5)三者体积之和相当。
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