[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201110057139.6 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102190279A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 小幡进;十河敬宽;浅野佑策;宫城武史 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 蔡胜利 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据一个实施例，半导体装置包括：基板；设置于基板上的有机绝缘膜；形成于该有机绝缘膜上的比该有机绝缘膜薄的无机绝缘膜；中空密封结构，其被形成于无机绝缘膜上，并且将MEMS元件密封于其里面，同时保证中空密封结构自身和MEMS元件之间的空间；被形成用以贯通有机绝缘膜和无机绝缘膜的贯通孔；导电构件，其被充填入贯通孔内，并且电连接MEMS元件和通过被充填入贯通孔内而形成的电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基板；设置于基板上的有机绝缘膜；无机绝缘膜，其形成于所述有机绝缘膜上，比所述有机绝缘膜薄；中空密封结构，其形成于所述无机绝缘膜上，并且将MEMS元件密封于其里面，同时保证所述中空密封结构自身和所述MEMS元件之间的空间；以及导电构件，其被充填入贯通孔内，所述贯通孔被形成为用以贯通所述有机绝缘膜和所述无机绝缘膜，并且将形成于所述基板上的电极和所述MEMS元件相互电连接。
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