[发明专利]压电薄膜、压电器件、液体喷射装置、及制备压电薄膜的方法有效
申请号: | 201110057145.1 | 申请日: | 2011-03-03 |
公开(公告)号: | CN102194670B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 直野崇幸 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L41/08 | 分类号: | H01L41/08;H01L41/09;H01L41/187;H01L41/316;B41J2/14;B41J2/16 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 过晓东,谭邦会 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 压电薄膜、压电器件、液体喷射装置、及制备压电薄膜的方法。一种压电薄膜,所述压电薄膜通过汽相沉积方法在基板表面上形成,没有产生晶粒边界,该晶粒边界基本上平行于基板表面,并且是由层叠引起的。构成压电薄膜的每个晶体的(100)平面的法线与基板表面法线的倾斜角度不小于6°且不大于36°。 | ||
搜索关键词: | 压电 薄膜 器件 液体 喷射 装置 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种压电薄膜,该压电薄膜通过汽相沉积方法在基板表面上形成,没有产生晶粒边界,该晶粒边界平行于基板表面,并且是由层叠所引起的,其中构成压电薄膜的每个晶体的(100)平面的法线与基板表面法线的倾斜角度不小于6°,且不大于36°,其中构成压电薄膜的晶体是柱状晶体,柱状晶体朝压电薄膜的厚度方向延伸,且所述柱状晶体的平均柱直径不小于30nm且不大于1μm;其中压电薄膜包括至少一种由Aa(Zrx,Tiy,Mb‑x‑y)bOc所表示的钙钛矿氧化物,其中A表示至少一种占据A部位、且包括Pb的元素;M表示至少一种金属元素;0<x<b,0<y<b,0≤(b‑x‑y);并且a:b:c的比的范围应满足能够得到钙钛矿型结构,而1:1:3为标准比,并且其中占据A部位的Pb组分少于1.10。
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