[发明专利]一种有机场效应晶体管结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110057566.4 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102683588A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 商立伟;姬濯宇;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机场效应晶体管结构，包括：绝缘衬底；形成于该绝缘衬底之上的栅电极；覆盖于该绝缘衬底及该栅电极之上的第一类栅介质层；形成于该第一类栅介质层表面沟道区域两侧的源漏电极；以及形成于该源漏电极之间沟道区域之上的堆叠结构。该结构能够在不增加器件面积的前提下有效地增加器件的沟道数量，形成多沟道器件，从而增加器件的驱动能力，为制备高密度的有机电路提供一种可行的思路。同时本发明还公开了一种制备有机场效应晶体管结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 场效应 晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种有机场效应晶体管结构，其特征在于，包括：绝缘衬底；形成于该绝缘衬底之上的栅电极；覆盖于该绝缘衬底及该栅电极之上的第一类栅介质层；形成于该第一类栅介质层表面沟道区域两侧的源漏电极；以及形成于该源漏电极之间沟道区域之上的堆叠结构。
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