[发明专利]一种致密复合二氧化钛薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110057642.1 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102140621A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 狄国庆;曹月华 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种致密复合二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一真空腔体，该真空腔体内设有氧化钇与二氧化钛复合靶材、待镀膜衬底，所述氧化钇与二氧化钛复合靶材为将片状的氧化钇设置在二氧化钛靶材表面而成；通入氧气体积含量在0.1～20%范围的氧气和氩气的混合气体，工作气压调控在0.2～2Pa之间；采用磁控溅射方法，在待镀膜衬底上形成Y2O3-TiO2复合薄膜层。本发明的复合薄膜制备方法简单，通过掺杂氧化钇，使得薄膜表面平整致密的同时，还能抑制锐钛矿晶相的生成、而有利于制备以金红石为主相的高介电常数薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 致密 复合 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种致密复合二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一真空腔体，该真空腔体内设有氧化钇与二氧化钛复合靶材、待镀膜衬底，所述氧化钇与二氧化钛复合靶材为将片状的氧化钇设置在二氧化钛靶材表面而成；通入氧气体积含量在0.1～20%范围的氧气和氩气的混合气体，工作气压调控在0.2～2 Pa之间；采用磁控溅射方法，在待镀膜衬底上形成Y2O3‑TiO2复合薄膜层。
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