[发明专利]一种利用热波仪测量温度的方法

摘要

本发明公开了一种利用热波仪测量温度的方法。在半导体制造工艺中，离子注入会破坏单晶硅片的晶格结构，通过热波仪可以量测出这种损伤值，称之为TW(Thermal Wave)值。而经过一定的温度退火后会修复这种晶格的损伤，故会造成TW值的衰减。更重要的是，这种衰减的程度跟温度高低直接相关。根据这个关系，让一个注入后的单晶硅片在进入待测温机台工艺前后各量测一次，前值我们称之为TW0，后值称之为TW1，然后计算衰减率：TW衰减率＝(1-TW1/TW0)*100％，这个衰减率对应固定的温度，与基础数据对比，从而可以得出晶片所进入机台的温度。本发明的优点在于操作简单，省时，成本低，工艺模拟性强，对机台环境无破坏性，适用性广，可对半导体工厂内薄膜，刻蚀，合金炉管机台进行温度测量。

主权项

一种利用热波仪测量温度的方法，其特征方法在于：(1)取新单晶片1片；(2)在离子注入机注B以得到损伤度，注入能量在25‑60KeV，剂量在1E13‑5E13/cm2之间；(3)用热波仪测量注入后的热波信号值TW0；(4)将晶片传入机台内模拟正常工艺以得到真实值；对有膜质沉积的工艺，需晶片背面进入；(5)用热波仪测量传出晶片的损伤后值，该损伤后值记为TW1；(6)计算热波仪热波信号值TW衰减率，并与基础数据对比得出所测量机台的温度；TW衰减率＝(1‑TW1/TW0)*100％；(7)用过的硅晶片回收，测量结束。