[发明专利]超级结半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110058206.6 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102194701A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 大井明彦;岩谷将伸;矢嵨理子;栗林均 | 申请（专利权）人： | 富士电机控股株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超级结半导体器件的制造方法。本发明的课题在于，提供降低n型柱和p型柱的电荷平衡偏差、耐压合格品率高的超级结半导体器件的制造方法。在高浓度的第一导电型半导体基板(1)上，形成由第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)构成的超级结构造部(10)作为漂移层，在该超级结半导体器件的制造方法中，使得向上述第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)中分别注入离子的总杂质量相等，并且以加速能量分别注入离子，上述加速能量使得刚注入离子后的深度方向的杂质浓度峰值位置在上述第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)中大致一致。 | ||
| 搜索关键词： | 超级 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种超级结半导体器件的制造方法，在高浓度的第一导电型半导体基板上，通过多次反复进行外延生长和第一导电型杂质以及第二导电型杂质的离子注入来进行堆叠，来形成超级结构造部作为漂移层，该超级结构造部由具有在与所述半导体基板的主面相垂直的方向上较长的形状且在与主面平行的方向上交替邻接配置的第一导电型区域和第二导电型区域构成，该超级结半导体器件的制造方法的特征在于：以加速能量分别对所述第一导电型区域和所述第二导电型区域进行离子注入，使得分别注入所述第一导电型区域和所述第二导电型区域中的总杂质量相等，并且使得离子注入刚结束时的深度方向的杂质浓度峰值位置在所述第一导电型区域和所述第二导电型区域中大体一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机控股株式会社，未经富士电机控股株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110058206.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：新型脱模剂喷涂装置
- 下一篇：一种盐焗鸡制品及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
