[发明专利]一种高灵敏度磁传感芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201110058477.1 | 申请日： | 2011-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN102683582A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 曲炳郡;熊伟 | 申请（专利权）人： | 曲炳郡 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;G01R33/09 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高灵敏度磁传感芯片的制造方法，包括以下步骤：在基底上制备所述磁敏感薄膜；分段改变所述磁敏感薄膜的退磁场；在所述磁敏感薄膜表面制备电极及导线，形成磁传感芯片；在所述磁传感芯片表面沉积保护层；将所述带有保护层的磁传感芯片基底分离获得磁传感芯片。该方法可以用于提高各向异性磁电阻、巨磁电阻、隧道磁电阻等磁传感芯片的灵敏度。所述磁传感芯片涉及微米纳米薄膜制备、磁性材料物理、微电子技术、传感技术等众多的学科领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 传感 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
磁传感芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底上制备磁敏感薄膜；通过分段改变所述磁敏感薄膜的退磁场；在所述磁敏感薄膜表面制备电极及导线，形成磁传感芯片；在所述磁传感芯片表面沉积保护层；将所述带有保护层的磁传感芯片基底分离获得独立的磁传感芯片。
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