[发明专利]太阳能电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层设置于半导体基底上，且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式，且第二掺杂半导体层的掺杂浓度实质上介于掺杂接触区的掺杂浓度与第一掺杂半导体层的掺杂浓度之间。第一电极层对应于掺杂接触区。本发明的太阳能电池及其制作方法，可提升太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种太阳能电池，其特征在于，包括：一半导体基底，具有一第一表面与一第二表面，其中该半导体基底具有一第一掺杂型式；一第一掺杂半导体层，设置于该半导体基底的该第一表面，其中该第一掺杂半导体层包含至少一掺杂接触区，该第一掺杂半导体层与该掺杂接触区具有一与该第一掺杂型式相反的第二掺杂型式，且该掺杂接触区的一掺杂浓度高于该第一杂半导体层的一掺杂浓度；一绝缘层，设置于该第一掺杂半导体层上，其中该绝缘层具有至少一开口，暴露出该掺杂接触区；一第二掺杂半导体层，设置于该绝缘层与该掺杂接触区上，其中该第二掺杂半导体层具有该第二掺杂型式，该第二掺杂半导体层的一掺杂浓度介于该掺杂接触区的该掺杂浓度与该第一掺杂半导体层的该掺杂浓度之间；以及一第一电极层，设置于该第二掺杂半导体层上，且该第一电极层对应于该掺杂接触区。