[发明专利]发光器件有效
| 申请号： | 201110058587.8 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102194949A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 曹京佑;黄盛珉 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L33/04;H01L33/36;H01L33/00;H01L33/20;H01L25/00;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/64;H01L25/075 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光器件。该发光器件包括：发光结构，发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一腔体，其通过第一半导体层和有源层，以暴露第二半导体层；第一电极，其从在第一腔体中的第二半导体层延伸到第一腔体的外部；第二电极，其被设置在第一半导体层的底表面的外周区域上，并且在围绕第一电极的侧面的同时与第一电极隔开；以及，第一绝缘层，所述第一绝缘层在第一电极和发光结构之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一腔体，所述第一腔体通过所述第一半导体层和所述有源层，以暴露所述第二半导体层；第一电极，所述第一电极从在所述第一腔体中的所述第二半导体层延伸到所述第一腔体的外部；第二电极，所述第二电极被设置在所述第一半导体层的底表面的外周区域上，并且在围绕所述第一电极的侧面的同时与所述第一电极隔开；以及第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一电极和所述发光结构之间。
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