[发明专利]发光器件和具有发光器件的发光器件封装无效
| 申请号： | 201110059567.2 | 申请日： | 2011-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102194952A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 郑明训;姜大成 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00;F21S2/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开发光器件和具有发光器件的发光器件封装。发光器件包括：第一半导体层，该第一半导体层被掺杂有N型掺杂物；在第一半导体层上的第一有源层；在第一有源层上的掺杂有P型掺杂物的第二半导体层；在第二半导体层上的第二有源层；以及在第二有源层上的掺杂有N型掺杂物的第三半导体层。第二半导体层的厚度可以处于2000至4000的范围内，并且掺杂在第二半导体层中的P型掺杂物的掺杂浓度处于1018cm-3至1021cm-3的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 具有 封装 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包括：第一半导体层，所述第一半导体层被掺杂有N型掺杂物；在所述第一半导体层上的第一有源层；在所述第一有源层上的被掺杂有P型掺杂物的第二半导体层；在所述第二半导体层上的第二有源层；以及在所述第二有源层上的被掺杂有N型掺杂物的第三半导体层，其中所述第二半导体层的厚度可以处于2000![]()
至4000![]()
的范围内，并且被掺杂在所述第二半导体层中的P型掺杂物的掺杂浓度处于1018cm-3至1021cm-3的范围内。
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