[发明专利]电阻式随机存取存储器结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110059828.0 | 申请日： | 2011-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN102315387A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 谢君毅;吴昌荣;施能泰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻式随机存取存储器(RRAM)结构，其包括电阻层，电阻层包括介电层及对形成后的介电层进行处理而导入的过量氧离子或氮离子。当对RRAM施加电压时，氧离子或氮离子占据介电层中的空位，而增加电阻层的电阻。当对RRAM施加另一个电压时，氧离子或氮离子自空位移开，而降低电阻层的电阻。本发明还涉及一种制造RRAM结构的方法，其包括对介电层进行氧处理或氮处理以将氧离子或氮离子导入介电层，不需要耗时的高电压形成过程(forming process)，介电层本体材料具有空位类的结构缺陷，其电阻性质就依据氧离子或氮离子占据空位与否而变换。容易控制电阻变化。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存取存储器结构，包括：下电极；上电极；及电阻层，其位于该下电极及该上电极间，其特征在于，该电阻层包括由介电材料形成的介电层，其具有多个本身为结构缺陷的空位，及，其中，该电阻层进一步包括氧离子或氮离子，这些氧离子或氮离子是在该介电层形成后对该介电层进行处理所导入，当该电阻式随机存取存储器受第一电压时，这些氧离子或氮离子占据这些空位而增加该电阻层的电阻，及，当该电阻式随机存取存储器受与该第一电压相反电性的第二电压时，这些氧离子或氮离子自这些空位移开而降低该电阻层的电阻。
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