[发明专利](Al,In,Ga)N 衬底及其制备方法、微电子或光电子器件制品有效
| 申请号： | 201110060112.2 | 申请日： | 2004-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102174712A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·P·沃多;徐学平;杰弗里·S·弗林;乔治·R·布兰德斯 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18;H01L29/04 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及(Al，In，Ga)N衬底及其制备方法、微电子或光电子器件制品。本发明涉及一种(Al，In，Ga)N衬底，包括以非零角度从[0001]方向切割的(Al，In，Ga)N(0001)表面，以及以非零角度从[0001]方向切割的(Al，In，Ga)N(0001)表面。本发明还涉及一种微电子或光电子器件制品，包括：本发明的衬底，包含在衬底之上沉积的同质外延(Al，In，Ga)N层的微电子或光电子器件结构。本发明还涉及一种制备(Al，In，Ga)N衬底的方法。在制造III-V族氮化物基的微电子和光电子器件中，该衬底有利地用于同质外延沉积。 | ||
| 搜索关键词： | al in ga 衬底 及其 制备 方法 微电子 光电子 器件 制品 | ||
【主权项】：
1.一种(Al，In，Ga)N衬底，包括以非零角度从[0001]方向切割的(Al，In，Ga)N(0001)表面，以及以非零角度从![]()
方向切割的(Al，In，Ga)N![]()
表面。
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