[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。

主权项

半导体装置的制造方法，其特征为，包括：对于按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的、并且所述粘接层具有规定的第1平面形状且部分性地形成于所述剥离基材上、所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触的粘接片，将由所述粘接层、所述粘着层及所述基材薄膜所成的层叠体从所述剥离基材上剥离，将所述层叠体以所述粘接层为中介贴合于半导体晶片，得到附有层叠体的半导体晶片的贴合步骤；通过切割所述附有层叠体的半导体晶片，得到规定尺寸的附有层叠体的半导体元件的切割步骤；以高能量射线照射所述层叠体的所述粘着层，使所述粘着层对于所述粘接层的粘着力降低后，将所述粘着层及所述基材薄膜从所述粘接层上剥离，得到附有粘接层的半导体元件的剥离步骤；将所述附有粘接层的半导体元件，以所述粘接层为中介粘接于半导体元件搭载用的支持部件的粘接步骤。