[发明专利]钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法无效
申请号: | 201110060505.3 | 申请日: | 2011-03-14 |
公开(公告)号: | CN102094241A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 王锐;邢丽丽;徐衍岭;钱艳楠;郭倩 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B15/00 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 韩末洙 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法,它属于材料技术领域。本发明要解决现有技术制备的上转换发光材料存在应用局限性的技术问题。钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体是三方晶系单晶,其由Li2CO3、Nb2O5、Ho2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。方法:一、称取;二、烧结;三、采用提拉法生长晶体:经引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱和退火程序,得到多畴晶体;四、极化,即得钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体。本发明方法钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体实现了上转换红绿蓝光的同时输出,物理化学稳定性高,热稳定性高,均匀性好且具有各相异性,对设备的集成化以及设备的小型化发展起关键性作用。为铌酸锂晶体在照明及夜视方面提供了应用基础。 | ||
搜索关键词: | 钬镱铥三 掺杂 铌酸锂 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体,其特征在于钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体是三方晶系单晶,钬镱铥三掺杂铌酸锂晶体由Li2CO3、Nb2O5、Ho2O3、Yb2O3和Tm2O3制成;其中Li2CO3和Nb2O5的摩尔比为0.85~1.38∶1,Ho2O3的掺杂浓度为0.01%~1%(摩尔),Yb2O3的掺杂浓度为0.5%~5%(摩尔),Tm2O3的掺杂浓度为0.01%~1%(摩尔)。
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