[发明专利]一种热场可调的泡生法晶体生长炉

摘要

本发明提供一种热场可调的泡生法晶体生长炉，属于晶体生长设备技术领域。本发明通过将上保温层连接到上保温层升降装置，借助升降装置可调整上保温层的位置，从而调整坩埚及物料所处的散热边界条件，进而对热场进行及时有效的调节。此外，结合冷却水量调节，籽晶杆提拉与旋转，降温等手段，系统调控热场的能力大大加强，可针对晶体生长不同阶段对热场的不同需求，不同设备、同一设备不同炉次以及同炉次不同工艺过程间的差异以及其它诸如投料量、环境条件等发生改变的情况作出灵活有效的调整，可大大提高晶体质量和成品率，同时，有效地提高了工艺的稳定性及重复性，特别适合大尺寸蓝宝石晶体产业化生产。

主权项

一种热场可调的泡生法晶体生长炉，主要包括上保温屏升降装置(1)、炉体(2)、水冷电极(3)、真空管道(4)、发热体(5)、坩埚(6)、坩埚支撑系统(9)、下保温层(10)、侧保温层(11)、上保温层(13)和旋转及提拉装置(16)等，其特征在于上保温屏升降装置(1)与上保温层(13)相连，发热体(5)在坩埚(6)外侧且位于下保温层(10)、侧保温层(11)、上保温层(13)的内部，坩埚(6)位于坩埚支撑系统(9)上，炉体(2)设有观察孔(15)便于观察晶体(7)、熔体(8)、籽晶(12)、籽晶杆(14)，籽晶杆(14)通过旋转及提拉装置(16)可上下升降和旋转。