[发明专利]减少图案效应的不对称快速热退火有效
| 申请号： | 201110061223.5 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102446758A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊雄;吴启明;林大文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使图案化衬底退火的快速热退火方法和系统，其可以使对衬底温度非均匀性的图案效应最小化。快速热退火系统包括前侧加热源和背面加热源。快速热退火系统的背面加热源提供使衬底温度升高至峰值退火温度的主要热量。前侧加热源提供热量使靠近衬底前侧的环境温度升高至一温度，该温度低于峰值退火温度约100℃至约200℃。这种用于快速热退火的不对称前侧和背面加热可以减少或消除图案效应并且改善WIW和WID器件性能均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 图案 效应 对称 快速 退火 | ||
【主权项】：
一种对图案化衬底进行不对称快速热退火的方法，其包括：在快速热退火系统中加热所述图案化衬底至目标温度，所述目标温度低于峰值退火温度约100℃至约200℃，所述快速热退火系统具有前侧加热源和背面加热源；以及利用所述前侧加热源和背面加热源使所述图案化衬底的温度从所述目标温度升高至所述峰值退火温度，其中，所述前侧加热源提供的加热功率少于总加热功率的约50％。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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