[发明专利]具有薄互连堆叠的中子传感器无效
| 申请号： | 201110061317.2 | 申请日： | 2011-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102157689A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | T·A·兰达佐;B·J·拉森;P·S·费克纳 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L23/535 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;蒋骏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有薄互连堆叠的中子传感器。其中一种半导体装置，包括衬底，位于衬底上的有源半导体层，沉积在有源半导体层上的互连层的堆叠，以及沉积在互连层的堆叠上的中子转换层，其中构造互连层堆叠以使得在中子转换层中产生的至少约10％的次生带电粒子(36)在有源半导体层中具有足够的离子轨迹长度以在有源半导体层中生成可探测的电荷。另一种半导体装置包括衬底，位于衬底上的有源半导体层，沉积在有源半导体层上的中子转换层，以及沉积在中子转换层上的互连层的堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 互连 堆叠 中子 传感器 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底(12)上制造有源半导体层(14)；在有源半导体层上沉积互连层(18)的堆叠16；以及在互连层的堆叠上沉积中子转换层(20)；其中，构造互连层的堆叠以使得在中子转换层中产生的至少约10％的次生带电粒子(36)在有源半导体层中具有足够的离子轨迹长度(TIon)，以在有源半导体层中生成可探测的电荷。
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