[发明专利]具荧光层的白光发光二极管无效

专利信息
申请号: 201110061676.8 申请日: 2011-03-15
公开(公告)号: CN102683556A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 王清华;陈隆建;谢宗裕;田青禾 申请(专利权)人: 王清华;陈隆建;谢宗裕;田青禾
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50
代理公司: 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人: 刘俊
地址: 523000 广东省东莞市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种具荧光层的白光发光二极管,包括依序堆栈在蓝宝石基板上的氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、多量子位阱氮化铝镓层、P型氮化镓层、透明导电层、氧化铟铽荧光层,并进一步包括连接P型氮化镓层的正极金属连接层及连接N型氮化镓层的负极金属连接层,其中正极金属连接层及负极金属连接层分别连接外部正电源端及负电源端时,多量子位阱氮化铝镓层会因电子电洞复合而发射光线,并穿透P型氮化镓层、透明导电层、氧化铟铽荧光层而产生出射光射向外部,且氧化铟铽荧光层具有荧光性,用以将多量子位阱氮化铝镓层所发射的光线转变成白光的出射光。
搜索关键词: 荧光 白光 发光二极管
【主权项】:
一种具荧光层的白光发光二极管,用以产生白光的出射光,其特征在于,包括;一蓝宝石基板;一氮化镓缓冲层,堆栈在该蓝宝石基板上;一N型氮化镓层,堆栈在该氮化镓缓冲层上;多量子位阱氮化铝镓层,堆栈在该N型氮化镓层上,并曝露出该N型氮化镓层的一部分;一P型氮化镓层,堆栈在该多量子位阱氮化铝镓层上;一透明导电层,堆栈在该P型氮化镓层上;一氧化铟铽荧光层,堆栈在该透明导电层上,且具有贯穿孔;一负极金属连接层,堆栈在该氧化铟铽荧光层上,并经该贯穿孔而电气连接至该透明导电层,且该负极金属连接层气连接至外部电源的一负端;以及一正极金属连接层,堆栈在该P型氮化镓层上,且该正极金属连接层气连接至外部电源的一正端。
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