[发明专利]横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110061744.0 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102157385A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法包括：第一离子注入步骤，用于进行离子注入以形成第一源极区域以及第一漏极区域；栅极氧化物层沉积步骤，用于在第一源极区域以及第一漏极区域之间沉积栅极氧化物层；多晶硅栅极形成步骤，用于在栅极氧化物层上形成多晶硅栅极；以及第二离子注入步骤，用于再次进行离子注入以形成第二源极区域以及第二漏极区域。通过采用根据本发明的横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，使得衬底电流由于两次有源区离子注入而得到了改善。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向双扩散金属氧化物半导体器件制造方法，其特征在于包括：第一离子注入步骤，用于进行离子注入以形成第一源极区域以及第一漏极区域；栅极氧化物层沉积步骤，用于在第一源极区域以及第一漏极区域之间沉积栅极氧化物层；多晶硅栅极形成步骤，用于在栅极氧化物层上形成多晶硅栅极；以及第二离子注入步骤，用于再次进行离子注入以形成第二源极区域以及第二漏极区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
