[发明专利]低压差线性稳压器结构无效
申请号: | 201110061761.4 | 申请日: | 2011-03-15 |
公开(公告)号: | CN102200791A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 段新东 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种低压差线性稳压器结构,其频率补偿结构的补偿电阻与所述低压差线性稳压器的输出端的电流成反比,从而使得所述频率补偿结构产生的零点能自动跟随所述低压差线性稳压器的输出极点变化,提高了所述低压差线性稳压器的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 低压 线性 稳压器 结构 | ||
【主权项】:
一种低压差线性稳压器结构,其特征在于,包括:压差放大器,具有正相端、反相端及输出端;所述反相端作为所述低压差线性稳压器的输入端,其与一电压参考信号相连;电压缓冲器,其输入端与所述压差放大器的输出端相连;PMOS电压调整管,其栅极与所述电压缓冲器的输出端相连,其源极接高电平,其漏极作为所述低压差线性稳压器的输出端;负反馈网络,接在所述PMOS电压调整管的漏极与地之间,包括依次串联的第一电阻及第二电阻,所述第一电阻与所述PMOS电压调整管的漏极相连,所述第二电阻接地,所述第一电阻与所述第二电阻的连接点与所述压差放大器的正相端相连;输出电容,接在所述PMOS电压调整管的漏极与地之间;以及频率补偿结构,接在所述电压缓冲器的输出端与输入端之间,在所述压差放大器的输出端提供频率补偿零点,包括依次串联的补偿电阻及补偿电容;且所述补偿电阻的阻值与所述低压差线性稳压器的输出端的电流成反比。
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