[发明专利]异质结双极型晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 201110061777.5 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102142457A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种异质结双极型晶体管及其制备方法。所述异质结双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：形成所述异质结双极型晶体管的外延层；在所述外延层上形成包括发射极窗口的氧化层、氮化硅层、光刻胶层；部分蚀刻所述光刻胶层，使所述光刻胶层的窗口大于所述氮化硅层的窗口；蚀刻所述氮化硅层，使所述氮化硅层的窗口大于所述氧化层的窗口；在所述氧化层、氮化硅层的发射极窗口内和所述氮化硅层的部分表面形成多晶硅层，以形成所述异质结双极型晶体管的发射极。本发明的异质结双极型晶体管的制备方法能够使发射极的多晶硅充分的沉积到所述氧化层的发射极窗口和所述氮化硅层的发射极窗口中，并能形成优良的发射极金属硅化物。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种异质结双极型晶体管，包括外延层、形成在所述外延层上的包括发射极窗口的氧化层和氮化硅层，其特征在于：所述氮化硅层的发射极窗口大于所述氧化层的发射极窗口，所述氧化层和氮化硅层的发射极窗口内和所述氮化硅层的部分表面形成有多晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110061777.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
