[发明专利]一种基于隔板升降的晶体生长界面控制方法有效
| 申请号： | 201110061932.3 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102154685A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 徐芳华;赵波;王琤;高杰;陈志华;王明明;任晓坜;高波 | 申请（专利权）人： | 杭州精功机电研究所有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 浙江翔隆专利事务所 33206 | 代理人： | 张建青 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于隔板升降的晶体生长界面控制方法。现有用于控制晶体生长固液界面的Bridgman法及VGF法，以上两种方法在工业应用中较为复杂，不适合用于当前单锭重量越来越大的光伏硅铸锭行业。本发明的特征在于晶硅铸锭炉热场的绝热笼内壁上设有一圈抵触在其上且能沿其升降的隔板，隔板由绝热材料制成，通过升降隔板来修正晶体生长的固液界面：当固液界面出现上凸形状时，为保持固液界面平整，向上移动隔板；当固液界面出现下凹形状时，为保持固液界面平整，向下移动隔板。本发明通过隔板的升降避免了大重量坩埚无法实现平稳升降的弊端，同时利用隔板的升降来改变其和周围热场组件的相对位置，从而达到了控制固液界面形状的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 隔板 升降 晶体生长 界面 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种基于隔板升降的晶体生长界面控制方法，其特征在于晶硅铸锭炉热场的绝热笼内壁上设有一圈抵触在其上且能沿其升降的隔板，隔板由绝热材料制成，通过升降隔板来修正晶体生长的固液界面：当固液界面出现上凸形状时，为保持固液界面平整，向上移动隔板；当固液界面出现下凹形状时，为保持固液界面平整，向下移动隔板。
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