[发明专利]声波谐振器有效
| 申请号： | 201110062302.8 | 申请日： | 2011-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102223142B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 张浩;庞慰 | 申请（专利权）人： | 张浩 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 519015 广东省珠海市吉*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种声波谐振器，包括：基底；形成在基底内部或上方的声隔离器，所述的声隔离器边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界；形成在声隔离器上的第一电极；形成在第一电极上的压电层；形成在压电层上的第二电极，所述的第二电极边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界，其中第二电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧；形成在压电层上的衬垫，衬垫围绕第二电极的边缘且位于声隔离器边缘的内侧。本发明的声波谐振器，结构简单，易于实现。具有较高的品质因数Qp，且不损害品质因数Qs、有效机电耦合系数 |
||
| 搜索关键词： | 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
1.一种声波谐振器，其特征在于，包括：(a)基底；(b)形成在基底内部或上方的声隔离器，所述的声隔离器边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界；(c)形成在声隔离器上的第一电极；(d)形成在第一电极上的压电层；(e)形成在压电层上的第二电极，所述的第二电极边缘的一端定义为第一边界，对应的另一端定义为第二边界，其中第二电极的边缘位于声隔离器边缘的内侧；(f)形成在压电层上的衬垫，所述的衬垫的侧壁与第二电极相对，且该侧壁的轮廓为壁面轮廓、阶梯轮廓、曲线轮廓、渐变轮廓中的一种或是它们的组合，衬垫围绕第二电极的边缘且位于声隔离器边缘的内侧，将所述的衬垫与第二电极边缘之间的距离定义为第三距离D3，当所述的衬垫由介电材料形成，则0≤D3≤20μm；当所述的衬垫由与第一和第二电极相同或者完全不同的金属材料形成，则0＜D3≤20μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于张浩，未经张浩许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110062302.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
