[发明专利]双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺无效
| 申请号： | 201110062561.0 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102148263A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 许艳 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅电池的背钝化技术领域，特别是一种双层富硅SiNx背钝化结构及其工艺，该结构包括P型硅基体，在基体的正面是N型扩散区，在基体的背面通过双层SiNx叠层钝化。其工艺步骤如下：1、P型硅片经过制绒、扩散、后清洗；2、正面PECVD镀SiNx；3、背面PECVD镀双层SiNx；4、制作电极；5、烧结。在高效晶体硅太阳能电池的基础上，采用双层富硅SiNx叠层作为背钝化的介质，和正常生产工艺相比有以下的特点：1.SiNx带正电荷，用其做背钝化面，可以降低背场复合，显著提高Uoc。采用双层富硅SiNx进一步降低了复合。2.IQE长波响应可以得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 sinx 钝化 结构 及其 工艺 | ||
【主权项】：
一种双层富硅SiNx背钝化结构，包括P型硅基体(1)，在基体(1)的正面是N型扩散区(2)，其特征是在：在所述的基体(1)的背面通过双层SiNx叠层(3)钝化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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