[发明专利]一种可提高单晶炉生长速度的冷却装置无效
| 申请号： | 201110062659.6 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102102219A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张志强;黄振飞 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及太阳能单晶炉热场技术领域，特别是一种可提高单晶炉生长速度的冷却装置，包括冷却器，冷却器为具有锥度的筒状，设置在热屏内侧。冷却器和紧贴热屏内侧，和热屏内侧具有相同的锥度。冷却器通过连接管连接到炉筒上，冷却器的冷却介质进出口均设置在炉筒上，冷却介质通过冷却介质进出口并沿连接管进入冷却器进行冷却。炉筒为一段独立的副炉筒。冷却介质进出口上设置流量调节阀。本冷却装置结构设计合理，杜绝了冷却介质与冷却器之间的传递过程存在泄漏的可能，而且在热场中采用本冷却装置后强化对晶棒的冷却效果，从而增强晶棒纵向温度梯度，提高硅单晶的生长速度，达到快速生长单晶硅棒的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 单晶炉 生长 速度 冷却 装置 | ||
【主权项】：
一种可提高单晶炉生长速度的冷却装置，其特征是：包括冷却器(1)，所述的冷却器(1)为具有锥度的筒状，设置在热屏(6)内侧。
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